三菱IGBT模块

武汉晶达电子有限公司聚十多年功率半导体的专业经验,为三菱功率半导体器件在中国区域的授权代理商，负责三菱功率半导体在中国市场的推广和销售工作。以下大量现货，欢迎查询。

A系列

特点:

a)      采用最新的CSTBT硅片技术；

b)     低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）；

c)      降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT；

d)     <SPAN style="FONT-SIZE: 12pt; FONT-FAMILY: 宋体; mso-bidi-font-size: 10.5pt; mso-font-kerning: 0pt; mso-bidi-font-family: Arial; mso-ascii-font-family: Arial">采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻；

e)     比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构，按IEC747-15标准定义温度和热阻。

用途:

低成本设计，适合中、低端

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